FQB17N08L |
RFQ for FQB17N08L |
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| Technical/Catalog Information | FQB17N08LTM |
| Vendor | Fairchild Semiconductor |
| Category | Discrete Semiconductor Products |
| Mounting Type | Surface Mount |
| FET Polarity | N-Channel |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 16.5A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 8.25A, 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 520pF @ 25V |
| Power - Max | 3.75W |
| Packaging | Tape & Reel (TR) |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 11.5nC @ 5V |
| Package / Case | D²Pak, SMD-220, TO-263 (2 leads + tab) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Lead Free Status | Lead Free |
| RoHS Status | RoHS Compliant |
| Other Names | FQB17N08LTM FQB17N08LTM |
| Product | Manufacturers | Pack | D/C |
| FQB17N08L | - | TO-263 | `06+(pb-free) |
These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild's proprietary, planar stripe, DMOS technology.
This advanced technology is especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand a high energy pulse in the avalanche and commutation modes. These devices are well suited for low voltage applications such as automotive, high efficiency switching for DC/DC converters, and DC motor control.
Features |
| • 16.5A, 80V, RDS(on) = 0.1Ω @VGS = 10 V• Low gate charge ( typical 8.8 nC)• Low Crss ( typical 29 pF)• Fast switching• 100% avalanche tested• Improved dv/dt capability• 175°C maximum junction temperature rating• Low level gate drive requirements allowing direct operation from logic drives |
| Symbol | Parameter |
FQB17N08L / FQI17N08L |
Units | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| VDSS | Drain-Source Voltage |
80 |
V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ID | Drain Current - Continuous (TC = 25°C) - Continuous (TC = 100°C) |
16.5 |
A | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
11.6 |
A | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDM | Drain Current - Pulsed (Note 1) |
66 |
A | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| VGSS | Gate-Source Voltage |
±20 |
V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EAS | Single Pulsed Avalanche Energy (Note 2) |
100 |
mJ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IAR | Avalanche Current (Note 1) |
16.5 |
A | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EAR | Repetitive Avalanche Energy (Note 1) |
6.5 |
mJ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| dv/dt | Peak Diode Recovery dv/dt (Note 3) |
6.5 |
V/ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PD | Power Dissipation (TA = 25°C) * |
3.75 |
W | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Power Dissipation (TC = 25°C) - Derate above 25°C |
65 |
W | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
0.43 |
W/°C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TJ, TSTG | Operating and Storage Tempera
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